خواص اپتیکی بلور فوتونیکی دی الکتریک تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک ( خانم سمیه داودی۱، خانم مریم قشلاقی۲)

در این مقاله به بررسی رفتار بلور فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی­الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه­ها به صورت glass/(mgf2-ge)n/air پرداخته شده است. شبیه­سازی این بلور انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه­سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش زاویه تابش نور فرودی، پهنای باند قطبیدگی p کاهش یافته است و دو قطبیدگی s و p  از یکدیگر جدا می­شوند. افزایش تعداد تناوب، پهنای شکاف باند را تغییر نمی­دهد ولی می­تواند عمق شکاف باند را زیاد کند. همچنین با افزایش فاکتور انباشت (ضریب تعداد لایه­ها در هر بخش)، شکاف باند فوتونیکی افزایش یافته است و در نتیجه به سمت طول موج­های بلندتر انتقال پیدا می­کند.